规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
| Infineon | |
| IGBT 模块 | |
| RoHS: | N |
| IGBT Silicon Modules | |
| Dual | |
| 1200 V | |
| 2.7 V | |
| 1200 A | |
| 400 nA | |
| 7.8 kW | |
| IHM130 | |
| - 40 C | |
| + 125 C | |
| Tray | |
| 商标: | Infineon Technologies |
| 高度: | 38 mm |
| 长度: | 140 mm |
| 栅极/发射极最大电压: | 20 V |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 产品类型: | IGBT Modules |
| 工厂包装数量 | 2 |
| 子类别: | IGBTs |
| 技术: | Si |
| 宽度: | 130 mm |
| 零件号别名: | SP000100511 FZ1200R12KF4NOSA1 |











