规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
| Infineon | |
| IGBT 模块 | |
| IGBT Silicon Modules | |
| Hex | |
| 1200 V | |
| 2.5 V | |
| 103 A | |
| 320 nA | |
| 520 W | |
| EconoPACK 3A | |
| - 40 C | |
| + 150 C | |
| Tray | |
| 商标: | Infineon Technologies |
| 高度: | 17 mm |
| 长度: | 122 mm |
| 栅极/发射极最大电压: | 20 V |
| 安装风格: | Chassis Mount |
| 产品类型: | IGBT Modules |
| 工厂包装数量: | 10 |
| 子类别: | IGBTs |
| 技术: | Si |
| 宽度: | 62 mm |
| 零件号别名: | SP000100364 BSM75GD120DN2BOSA1 |
| 单位重量: | 367.802 g |











