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英飞凌IGBT功率模块 BSM50GB120DN2
英飞凌IGBT功率模块  BSM50GB120DN2

规格参数

产品属性属性值
Infineon
IGBT 模块
IGBT   Silicon Modules
Half   Bridge
1200 V
2.5 V
78 A
200 nA
400 W
Half   Bridge1
- 40 C
+ 150 C
Tray
商标:Infineon   Technologies
高度:30.5 mm
长度:94 mm
栅极/发射极最大电压:20 V
安装风格:Chassis   Mount
产品类型:IGBT   Modules
工厂包装数量:10
子类别:IGBTs
技术:Si
宽度:34 mm
零件号别名:SP000095922   BSM50GB120DN2HOSA1
单位重量:177.145 g

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