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N通道HiPerFET™标准系列包括适用于硬开关和共振模应用的备受欢迎的功率MOSFET（HiPerFET™），可提供低栅极电荷和出色的强度，并配备快速本征二极管。 此系列提供多种标准工业封装，包括绝缘式封装。
功能与特色:
国际标准包装
高电流处理能力
低RDS(on) HDMOS过程
雪崩评级
较低的封装电感
快速本征二极管
应用:
DC-DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模式电源
直流斩波器
AC电机驱动器
温度和照明控制
优点:
安装简便
节省空间
高功率密度
电气特性
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| Drain-Source Voltage (V) | 300 |
| Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.045 |
| Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 73 |
| Gate Charge (nC) | 360 |
| Input Capacitance, CISS (pF) | 9000 |
| Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.25 |
| Configuration | Single |
| Package Type | SOT-227 |
| Power Dissipation (W) | 500 |
| Maximum Reverse Recovery (ns) | 200 |
| Status | Not for New Designs |
| Sample Request | Yes |
